米マイクロン、広島工場の次世代DRAMに5000億円投資 日本政府も支援

マイクロンテクノロジーは、日本の広島工場で10nmプロセスによる次世代DRAMの開発・製造を行なうと発表した。日本政府による支援を前提として、今後数年で5,000億円を投資する。

マイクロンはEUV(極端紫外線)技術を日本に初めて導入し、1γ(ガンマ)ノード(10nm)による次世代DRAMの製造を行なう。1γプロセス技術は現在の最先端DRAMノードである1β(ベータ)ノード(13nm)に続くもので、広島工場ではすでにマイクロン初の1βノードによるLPDDR5Xメモリの量産が開始されている。同社は2025年以降、台湾と日本でEUVを用いた1γノードを立ち上げる計画で、これを推進していく。

経済産業省は、経済安全保障上の国際戦略という観点を含めて、半導体に関する日米協力や、製造拠点を国内に誘致・移転させるなどの長期戦略をとっており、大規模な投資支援を行なっている。また米マイクロンは日本でDRAMを製造している唯一の企業。自動車から医療機器、データセンター、5Gインフラまで、日本の重要な産業で使用されるDRAMの1/3を供給しているという。

今回の発表の中でラーム・エマニュエル駐日米国大使は「半導体サプライチェーンの確保に向けた大きな一歩。同盟国の連携強化で、経済的機会の創出や、最先端技術の安全が確保されるかを実証する」とコメントしており、日米の協力関係の結果であることを示している。