セイコーエプソンは20日、米国の半導体研究開発拠点として「ニューヨーク・デザイン・センター」を開設した。半導体の次世代技術の研究開発を進める予定で、当面は高周波アナログICとデジタルIC関連の研究に取り組む。

　 同センターは、セイコーエプソンの米国における研究開発法人「Epson Research and Development」（略称ERD）が設立した。ERDとしては第3のサテライトオフィスにも位置付けられ、ニューヨークのハドソンバレー地区に設置された。

　 当初は10人でスタート。今後順次拡充し、2年以内には20人体制にする。今後は半導体技術を研究する機能強化を図るとともに、同センターでの研究成果を事業化させる。