三菱電機（6503）は、世界で初めてSOI（シリコン・オン・インシュレーター）基板を使ったCMOSプロセスで光通信用LSIを製品化した、と発表した。消費電力は従来の半分以下で電気性能は従来と同等以上の特徴をもつ。

　 製品化したのは2.5ギガビット（毎秒）マルチプレクサ（信号多重）とデマルチプレクサ（分離化回路）の2種。極薄膜SOI基板を使ったCMOSプロセス技術によって従来のバイポーラ技術で製造された製品の消費電力に比べて半分以下に抑え込んだ、という。米R＆D Magazine誌の「R＆D100賞」に選定されることが決まっている。

　 価格は2万円。今月18日からサンプル出荷する。