東芝（6502）は、次世代メモリのFeRAM（フェロエレクトリック・ランダム・アクセス・メモリ）について独インフィニオンテクノロジーズAGと共同開発することで合意した。同じ不揮発性メモリのフラッシュメモリに比べ、高速なデータの処理が可能。両社は2001年1月から本格的な共同開発に入り、製品化へのスピードアップを図りたい考えだ。

　 プログラムメモリとフラッシュメモリの両方を備えるFeRAMは、例えば携帯電話で使われるSRAMとフラッシュメモリを組み合わせたマルチパッケージモジュールに代わって機能を果たすほか、ICカードやゲーム機器、モバイル製品への応用が考えられている。

　 東芝はすでに独自で8メガビットFeRAMを開発済みで、2001年3月にサンプル出荷を予定。独イ社との共同開発はこの8メガビット版をベースに行われる。

　 2001年早々にもイ社のエンジニア20人が来日し、東芝の研究グループに合流する。将来は64メガビット、128メガビットクラスのFeRAM開発までも両社が共同で進める計画だ。